RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3748
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link