RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3748
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link