RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
16.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3748
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link