RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3732
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link