Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

総合得点

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

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Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 29

周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

19.9 13.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.9 9.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 28
読み出し速度、GB/s

13.4 19.9
書き込み速度、GB/秒

9.0 14.9
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2423 3732

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

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Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB

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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

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Panram International Corporation M424016 4GB

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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

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