RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3284
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Corsair CGM2X2GS800 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link