RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2638
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link