RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2638
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link