RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2638
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link