RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link