RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link