RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
71
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link