RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
71
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link