RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2561
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology EXTREME DDR2 1066+ 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link