RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2561
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link