RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
79
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
79
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1330
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link