RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3496
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link