RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
2830
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre 0000 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link