RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3508
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link