RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3574
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link