RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2659
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link