RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
29
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3724
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link