RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
46
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
46
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3168
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link