RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4039
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link