RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4039
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link