RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3872
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link