RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3825
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link