RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
60
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2652
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link