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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
60
左右 -71% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
35
读取速度,GB/s
4,595.2
14.9
写入速度,GB/s
2,168.2
10.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2652
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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