RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2154
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link