RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2154
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link