RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2174
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link