RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3005
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO 5641162 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link