RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3005
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link