RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2364
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link