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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
39
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2364
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
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