RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3112
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link