RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3112
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link