RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2385
3317
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link