Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Note globale
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    23 left arrow 41
    Autour de -78% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    18.1 left arrow 13.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    15.0 left arrow 8.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 10600
    Autour de 2.01 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    41 left arrow 23
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.9 left arrow 18.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.5 left arrow 15.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2385 left arrow 3317
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons