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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
13.9
18.1
写入速度,GB/s
8.5
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3317
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
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Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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