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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
28
读取速度,GB/s
2,929.1
16.7
写入速度,GB/s
2,978.2
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2962
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
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