RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
比较
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
总分
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
10.2
20.3
写入速度,GB/s
8.1
17.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
4116
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link