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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
51
左右 -46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
35
读取速度,GB/s
4,246.9
14.8
写入速度,GB/s
1,839.1
11.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
2566
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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