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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Vergleichen Sie
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Gesamtnote
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,839.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,246.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,839.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
721
2566
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM-Vergleiche
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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