RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3368
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Corsair CMY8GX3M2A3000C12 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link