RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2144
3726
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link