RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link