RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link