RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
53
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3291
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link