RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
53
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3291
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link