RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link