RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Corsair CMV8GX3M1A1333C9 8GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link